[发明专利]非等离子体辅助的化学气相沉积方法有效
| 申请号： | 200910199648.5 | 申请日： | 2009-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN102080217A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 徐强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种非等离子体辅助的化学气相沉积，该方法包括：在将晶圆置于反应腔之前，清洗反应腔内壁沉积的沉积物，在反应腔内壁沉积一层第二沉积物，根据反应腔内的气压调节通入保护性气体的时间；将晶圆置于反应腔后，利用非等离子体辅助的化学气相沉积在晶圆上制作介质层。采用本发明公开的方法，在晶圆置于反应腔之前，会对反应腔内壁沉积的沉积物进行清洗，去除残留在反应腔内壁的沉积物，之后在反应腔内壁沉积一层第二沉积物，以使晶圆置于反应腔制作介质层时反应腔内的环境一致；通过对反应腔的清洗和调节通入保护性气体的时间，避免反应腔内温度的剧烈变化影响后续制作的介质层厚度，减小了介质层厚度的变化范围。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 辅助 化学 沉积 方法 | ||
【主权项】：
一种非等离子体辅助的化学气相沉积，该方法包括：在将晶圆置于反应腔之前，清洗反应腔内壁沉积的沉积物，在反应腔内壁沉积一层第二沉积物，根据反应腔内的气压调节通入保护性气体的时间；将晶圆置于反应腔后，利用非等离子体辅助的化学气相沉积在晶圆上制作介质层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910199648.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：万向节坯料自动磨削装置
- 下一篇：化学机械研磨方法
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
