[发明专利]MEMS圆片级气密封装的单腐蚀槽结构及方法有效
| 申请号： | 200910198656.8 | 申请日： | 2009-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN101704497A | 公开（公告）日： | 2010-05-12 |
| 发明（设计）人： | 陈骁;罗乐 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C3/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MEMS圆片级气密封装的单腐蚀槽结构及方法，其特征在于在硅盖板上，在玻璃浆料密封环落入的区域内有一条环状的腐蚀槽。所述的环状腐蚀槽的宽度为玻璃浆料密封环宽度的1.3-1.5倍。所述腐蚀槽的深度为8-12μm。所述的封装方法是先在丝网印刷前，硅盖板上用刻蚀工艺刻蚀出环状的腐蚀槽阵列，然后丝网印刷机定位印刷到硅盖板的单腐蚀槽内，然后与带有MEMS器件阵列的硅片实现键合。由于单腐蚀槽的结构严格限制了玻璃浆料的键合尺寸，因而大大提高气密封装的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | mems 圆片级 气密 封装 腐蚀 结构 方法 | ||
【主权项】：
MEMS圆片级气密封装的单腐蚀槽结构，其特征在于在带有MEMS器件阵列的硅盖板上，在玻璃浆料密封环落入的区域内有一条环状的腐蚀槽。
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