[发明专利]薄膜沉积方法和装置无效
申请号: | 200910198491.4 | 申请日: | 2009-11-05 |
公开(公告)号: | CN102051602A | 公开(公告)日: | 2011-05-11 |
发明(设计)人: | 唐兆云 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46;H01L21/00 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 王一斌;王琦 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种薄膜沉积方法,该方法包括:在晶舟的每个格子上放置一片晶圆,将晶舟装载至反应腔内,并向反应腔内通入反应气体,其中,按照从上到下的顺序相邻格子之间的间距为一等差数列;调整反应腔的上部温度、上中部温度、中部温度、中下部温度和下部温度,且反应腔的上部温度、上中部温度、中部温度、中下部温度和下部温度相等。同时,本发明还公开了一种薄膜沉积装置,采用该方法和装置能够降低同一批产品在性能上的差异。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 沉积 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种薄膜沉积方法,该方法应用于炉管中,所述炉管包括:加热器、反应腔、底盖、晶舟、进气口和出气口,其中,底盖和晶舟相连,用于在外界驱动系统的驱动下带动晶舟上下移动;晶舟包括若干个格子,每个格子用于装载一片晶圆;反应腔,用于反应气体在晶圆表面进行薄膜沉积;加热器,位于反应腔的外部,用于对反应腔进行加热,其中,加热器按照从上到下的顺序分为5个温区,用于分别对反应腔的上部、上中部、中部、中下部和下部进行加热;进气口,位于反应腔的上部或下部,用于输入反应所需气体;出气口,位于反应腔的上部或下部,用于排出废气,其特征在于,该方法包括:在晶舟的每个格子上放置一片晶圆,将晶舟装载至反应腔内,并向反应腔内通入反应气体,其中,按照从上到下的顺序相邻格子之间的间距为一等差数列;调整反应腔的上部温度、上中部温度、中部温度、中下部温度和下部温度,且反应腔的上部温度、上中部温度、中部温度、中下部温度和下部温度相等。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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