[发明专利]制作半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200910197946.0 | 申请日： | 2009-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN102054694A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 赵林林 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/768;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作半导体器件的方法，所述方法包含如下步骤：提供一衬底，在所述衬底上沉积一栅极氧化层，然后在栅极氧化层上形成栅电极，以所述栅电极作为掩模，在所述栅电极两侧的衬底上注入形成轻掺杂漏区；在所述栅极氧化层、栅电极的侧壁上以及衬底上面形成间隙壁绝缘层；在所述间隙壁绝缘层的侧壁上形成间隙壁，接着实施离子注入，以在所述衬底上形成具有轻掺杂漏结构的源极和漏极；对所述半导体器件进行快速热退火；在所述间隙壁以及所述栅电极上面沉积一自对准硅化物阻挡层；对所述自对准硅化物阻挡层进行光刻，以留出将来要形成金属层的位置；采用湿刻蚀法将所述自对准硅化物阻挡层全部移除。根据本发明的工艺能够有效消除气泡缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制作半导体器件的方法，所述方法包含如下步骤：提供一衬底，在所述衬底上沉积一栅极氧化层，然后在栅极氧化层上形成栅电极，以所述栅电极作为掩模，在所述栅电极两侧的衬底上注入形成轻掺杂漏区；在所述栅极氧化层、栅电极的侧壁上以及衬底上面形成间隙壁绝缘层；在所述间隙壁绝缘层的侧壁上形成间隙壁，接着实施离子注入，以在所述衬底上形成具有轻掺杂漏结构的源极和漏极；对所述半导体器件进行快速热退火；在所述间隙壁以及所述栅电极上面沉积一自对准硅化物阻挡层；对所述自对准硅化物阻挡层进行光刻，以留出将来要形成金属层的位置；采用湿刻蚀法将所述自对准硅化物阻挡层全部移除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
