[发明专利]制作半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制作半导体器件的方法，所述方法包含如下步骤：

提供一衬底，在所述衬底上沉积一栅极氧化层，然后在栅极氧化层上形成栅电极，以所述栅电极作为掩模，在所述栅电极两侧的衬底上注入形成轻掺杂漏区；

在所述栅极氧化层、栅电极的侧壁上以及衬底上面形成间隙壁绝缘层；

在所述间隙壁绝缘层的侧壁上形成间隙壁，接着实施离子注入，以在所述衬底上形成具有轻掺杂漏结构的源极和漏极；

对所述半导体器件进行快速热退火；

在所述间隙壁以及所述栅电极上面沉积一自对准硅化物阻挡层；

对所述自对准硅化物阻挡层进行光刻，以留出将来要形成金属层的位置；

采用湿刻蚀法将所述自对准硅化物阻挡层全部移除。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述自对准硅化物阻挡层的材料为无掺杂硅玻璃，成分是二氧化硅。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述自对准硅化物阻挡层采用次大气压化学气相沉积法沉积形成的。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述无掺杂硅玻璃的形成条件为，气压为100Torr，源气体为TEOS和O₂的混合气体，其中TEOS的流速为27000sccm，O₂的流速为17500sccm。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述自对准硅化物阻挡层的厚度为130～250埃。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述自对准硅化物阻挡层的厚度为200埃。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述湿刻蚀法采用氢氟酸水溶液，配比是HF∶H₂O为1∶100。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述湿刻蚀法的刻蚀时间为130～250秒。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述湿刻蚀法的刻蚀时间为177秒。

10.一种包含通过如权利要求1所述的方法制造的半导体器件的集成电路，其中所述集成电路选自随机存取存储器、动态随机存取存储器、同步随机存取存储器、静态随机存取存储器、只读存储器、可编程逻辑阵列、专用集成电路、掩埋式DRAM和射频电路。

11.一种包含通过如权利要求1所述的方法制造的半导体器件的电子设备，其中所述电子设备个人计算机、便携式计算机、游戏机、蜂窝式电话、个人数字助理、摄像机和数码相机。