[发明专利]多晶硅栅的沉积方法有效
| 申请号： | 200910197672.5 | 申请日： | 2009-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN102044425A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 孙建军;翟立君;孙博;冯永波;赵星 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 王一斌;王琦 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅栅的沉积方法，在N批次多晶硅栅的沉积过程中，当进行每一批次多晶硅栅的沉积时，向炉管的反应腔内通入反应气体，反应气体在晶圆表面沉积为多晶硅栅，该方法包括：N批次中的每M批次多晶硅栅沉积完毕后，将晶圆从反应腔中取出，并向反应腔内通入氧气，其中，N为大于1的正整数，M为小于N的正整数。采用该方法能够避免多晶硅栅的表面形成晶体缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 沉积 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅栅的沉积方法，在N批次多晶硅栅的沉积过程中，当进行每一批次多晶硅栅的沉积时，向炉管的反应腔内通入反应气体，反应气体在晶圆表面沉积为多晶硅栅，其特征在于，该方法包括：N批次中的每M批次多晶硅栅沉积完毕后，将晶圆从反应腔中取出，并向反应腔内通入氧气，其中，N为大于1的正整数，M为小于N的正整数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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