[发明专利]多晶硅栅的沉积方法

权利要求书

1.一种多晶硅栅的沉积方法，在N批次多晶硅栅的沉积过程中，当进行每一批次多晶硅栅的沉积时，向炉管的反应腔内通入反应气体，反应气体在晶圆表面沉积为多晶硅栅，其特征在于，该方法包括：N批次中的每M批次多晶硅栅沉积完毕后，将晶圆从反应腔中取出，并向反应腔内通入氧气，其中，N为大于1的正整数，M为小于N的正整数。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，M为1或3。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当通入氧气时，氧气包含在混合气体中，混合气体的成份为氧气和氩气；

其中，氧气的体积比大于50％，混合气体的流量为5标准升每分钟至10标准升每分钟，混合气体通入的时间为30分钟至45分钟，反应腔内的压力为5托至10托，反应腔内的平均温度为600℃至760℃。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法进一步包括：向反应腔内通入氮气，并将反应腔内的气体排出。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，氮气通入的时间为40分钟至60分钟，氮气的流量为23标准升每分钟至30标准升每分钟。