[发明专利]一种电迁移监控结构有效
| 申请号： | 200910197262.0 | 申请日： | 2009-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN102044526A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 马擎天;朱旋;谢宝强;杨兆宇;肖玉洁 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 214061 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种电迁移监控结构，由至少一根与位于同一器件层的芯片内部金属互连引线成分及线宽完全一致的金属互连引线组成，其整体结构为长条形，且金属互连引线以直角拐角向旁侧弯折形成具有直角拐角的半封闭T型空腔，且位于同一金属互连引线上的半封闭T型空腔相互串联，整体为一独立的、连续的金属互连引线。半封闭T型空腔的引入，使得酸液等造成金属空洞的物质更容易在半封闭结构的空间内长时间滞留，更容易产生金属空洞，在金属互连引线的两端直接测量，即可判断整条金属互连引线上有无金属空洞，对芯片内部金属互连引线质量进行有效监控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 迁移 监控 结构 | ||
【主权项】：
一种电迁移监控结构，由至少一根金属互连引线组成，其整体结构为长条形，其特征在于，所述金属互连引线以直角拐角向其旁侧弯折，在所述金属互连引线旁侧形成具有直角拐角的半封闭T型空腔。
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