[发明专利]半导体存储装置和减少半导体存储装置芯片面积的方法有效
| 申请号： | 200910196866.3 | 申请日： | 2009-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN102034523A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/00 | 分类号： | G11C5/00;G11C11/4063;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储装置和减少半导体存储装置芯片面积的方法，所述半导体存储装置包括：电荷泵模块和切换模块，所述电荷泵模块的电容通过切换模块连接至VDD，其中，所述电荷泵模块，用于在写操作时为半导体存储装置提供抬举电容，并且在读操作时为电源提供去耦电容；所述切换模块，用于切换所述电荷泵模块的电容在写操作和读操作的工作状态。所述的半导体存储装置可大大减少原有去耦电容的容量，因此使得芯片面积大大减少，而且对于正常的读和写操作来说，均没有性能上的损失。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 减少 芯片 面积 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，其特征在于，包括：电荷泵模块和切换模块，所述电荷泵模块的电容通过切换模块连接至VDD，其中，所述电荷泵模块，用于在写操作时为半导体存储装置提供抬举电容，并且在读操作时为电源提供去耦电容；所述切换模块，用于切换所述电荷泵模块的电容在写操作和读操作的工作状态。
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