[发明专利]用于互连工艺中的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200910196266.7 | 申请日： | 2009-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN102024790A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 孙武;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L27/02;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于互连工艺中的半导体器件，所述半导体器件包括：前端器件层；在所述前端器件层上形成的超低k值介电层；在所述超低k值介电层上形成的低k值介电层，所述超低k值介电层的孔隙率大于所述低k值介电层；在所述低k值介电层形成的钝化层；在所述低k值介电层和所述钝化层中刻蚀形成的用于填充金属的沟槽。本发明还提供了用于互连工艺中的半导体器件制造方法。根据本发明的半导体器件既能保证低k值介电层带来的降低金属连线之间不利的相互作用或串扰，同时又可以实现介电层作为IMD层具有较高的强度，具有良好的VBD特性和均匀的薄层电阻特性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 互连 工艺 中的 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于互连工艺中的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：前端器件层；在所述前端器件层上形成的超低k值介电层；在所述超低k值介电层上形成的低k值介电层，所述超低k值介电层的孔隙率大于所述低k值介电层；在所述低k值介电层形成的钝化层；在所述低k值介电层和所述钝化层中刻蚀形成的用于填充金属的沟槽。
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