[发明专利]低介电常数材料刻蚀的方法无效
| 申请号： | 200910195862.3 | 申请日： | 2009-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102024697A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 赵林林 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/768;G03F7/36 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低介电常数材料刻蚀的方法，该方法包括：按照设定图案对光阻进行曝光后，使用刻蚀气体对所述低介电常数材料进行沟道刻蚀；通入气压范围在10～20mT之间、流量范围为400～700sccm的氧气对未曝光的剩余光阻进行灰化处理。本发明实施例的这种low-k材料刻蚀的方法，使用比现有技术气压更低的O2，降低了O2在PR Ash过程中与所述low-k材料发生反应的程度，能够改善最终得到的门电路的耐压性能；同时，使用比现有技术流量更高的O2气流，能够在进行PR Ash的同时更迅速地清除残留在沟道侧壁和底部的polymer，减小所述polymer中包含的残余的刻蚀气体中的F对沟道侧壁和底部裸露的low-k材料的腐蚀，降低PR Ash过程中对于沟道形状的破坏，改善最终得到的门电路的电路性能。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 材料 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种低介电常数材料刻蚀的方法，其特征在于，该方法包括：按照设定图案对光阻进行曝光后，使用刻蚀气体对所述低介电常数材料进行沟道刻蚀；通入气压范围在10～20毫托之间、流量范围为400～700立方厘米每秒的氧气对未曝光的剩余光阻进行灰化处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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