[发明专利]闪存系统及其逻辑状态读取方法和编程方法有效
| 申请号： | 200910195638.4 | 申请日： | 2009-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN102024496A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 罗文哲;欧阳雄 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/06;G11C16/10;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种闪存系统及其逻辑状态读取方法和编程方法，其中闪存系统包括：第一闪存单元；第二闪存单元；比较器，连接到所述第一位线和所述第二位线并且配置成：经过所述第一位线从所述第一闪存单元接收第一输入信号；经过所述第二位线从所述第二闪存单元接收第二输入信号；处理与所述第一输入信号和所述第二输入信号关联的信息；并且至少基于与所述第一输入信号和所述第二输入信号有关的信息来确定与所述第一闪存单元和所述第二闪存单元关联的逻辑状态。本发明提高半导体电路的器件可靠性和性能。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 系统 及其 逻辑 状态 读取 方法 编程 | ||
【主权项】：
一种闪存系统，其特征在于，包括：第一闪存单元，所述第一闪存单元包括：第一控制栅极，所述第一控制栅极连接到第一字线；第一浮动栅极；第一氧化物层，将所述第一控制栅极与所述第一浮动栅极分离；第一源极区域；以及第一漏极区域，所述第一漏极区域连接到第一位线；第二闪存单元，所述第二闪存单元包括：第二控制栅极，所述第二控制栅极连接到第二字线，所述第二字线与所述第一字线相同；第二浮动栅极；第二氧化物层，将所述第二控制栅极与所述第二浮动栅极分离；第二源极区域；以及第二漏极区域，所述第二漏极区域连接到第二位线；比较器，连接到所述第一位线和所述第二位线并且配置成：经过所述第一位线从所述第一闪存单元接收第一输入信号；经过所述第二位线从所述第二闪存单元接收第二输入信号；处理与所述第一输入信号和所述第二输入信号关联的信息；并且至少基于与所述第一输入信号和所述第二输入信号有关的信息来确定与所述第一闪存单元和所述第二闪存单元关联的逻辑状态。
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