[发明专利]闪存系统及其逻辑状态读取方法和编程方法

权利要求书

1.一种闪存系统，其特征在于，包括：

第一闪存单元，所述第一闪存单元包括：

第一控制栅极，所述第一控制栅极连接到第一字线；

第一浮动栅极；

第一氧化物层，将所述第一控制栅极与所述第一浮动栅极分离；

第一源极区域；

以及第一漏极区域，所述第一漏极区域连接到第一位线；

第二闪存单元，所述第二闪存单元包括：

第二控制栅极，所述第二控制栅极连接到第二字线，所述第二字线与所述第一字线相同；

第二浮动栅极；

第二氧化物层，将所述第二控制栅极与所述第二浮动栅极分离；

第二源极区域；

以及第二漏极区域，所述第二漏极区域连接到第二位线；

比较器，连接到所述第一位线和所述第二位线并且配置成：

经过所述第一位线从所述第一闪存单元接收第一输入信号；

经过所述第二位线从所述第二闪存单元接收第二输入信号；

处理与所述第一输入信号和所述第二输入信号关联的信息；并且

至少基于与所述第一输入信号和所述第二输入信号有关的信息来确定与所述第一闪存单元和所述第二闪存单元关联的逻辑状态。

2.如权利要求1所述的闪存系统，其特征在于，所述比较器配置成处理与所述第一输入信号和所述第二输入信号关联的信息包括比较所述第一输入信号和所述第二输入信号。

3.如权利要求1所述的闪存系统，其特征在于，所述比较器配置成至少基于与所述第一输入信号和所述第二输入信号有关的信息来确定与所述第一闪存单元和所述第二闪存单元关联的逻辑状态包括：

如果所述第一输入信号的量值高于所述第一输入信号，则确定所述逻辑状态为第一状态；

如果所述第二输入信号的量值高于所述第一输入信号，则确定所述逻辑状态为第二状态。

4.如权利要求3所述的闪存系统，其特征在于，所述第一输入信号和所述第二输入信号中的每个输入信号在电流域内。

5.如权利要求3所述的闪存系统，其特征在于，所述第一输入信号和所述第二输入信号中的每个输入信号在电压域内。

6.如权利要求3所述的闪存系统，其特征在于，所述第一状态由逻辑“1”代表。

7.如权利要求3所述的闪存系统，其特征在于，所述第二状态由逻辑“0”代表。

8.如权利要求1所述的闪存系统，其特征在于，所述第一闪存单元和所述第二闪存单元互补。

9.如权利要求1所述的闪存系统，其特征在于，所述逻辑状态通过对所述第一闪存单元进行编程和擦除所述第二闪存单元而存储于闪存系统内。

10.如权利要求1所述的闪存系统，其特征在于，所述输入信号依赖于所述闪存单元的阈值电压。

11.如权利要求10所述的闪存系统，其特征在于，所述第一与第二闪存单元之间的阈值电压差少于或者等于100mV。

12.如权利要求1所述的闪存系统，其特征在于，用于所述闪存系统的读取电压窗口少于或者等于100mV。

13.一种从包括第一闪存单元和第二闪存单元的闪存系统读取逻辑状态的方法，所述方法包括：

向所述第一闪存单元的第一控制栅极和向所述第二闪存单元的第二控制栅极施加字线电压；

在所述第一闪存单元的第一源极区域与第一漏极区域之间施加第一电压；

在所述第二闪存单元的第二源极区域与第二漏极区域之间施加第二电压；

响应于所述第一电压从所述第一闪存单元接收第一电流；

响应于所述第二电压从所述第二闪存单元接收第二电流；

处理与所述第一电流和所述第二电流关联的信息；

并且至少基于与所述第一电流和所述第二电流有关的信息来确定与所述第一闪存单元和所述第二闪存单元关联的逻辑状态。

14.如权利要求13所述的闪存系统读取逻辑状态的方法，其特征在于，所述字线电压大于未编程闪存单元的阈值电压并且少于编程闪存单元的阈值电压。

15.如权利要求13所述的闪存系统读取逻辑状态的方法，其特征在于，所述第一与第二闪存单元之间的阈值电压差等于或者少于100mV。