[发明专利]半导体封装打线工艺中的加热治具及其方法有效
| 申请号： | 200910195123.4 | 申请日： | 2009-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN102013386A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 王德峻;吕岱烈 | 申请（专利权）人： | 日月光封装测试(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体封装打线工艺中的加热治具及其方法，其中加热治具的加热块搭配有主动致冷元件，加热块可加热封装载体的第一区域，而主动致冷元件的致冷面可主动降低封装载体的第二区域的温度至相对低于第一区域的温度，因此能使第二区域上的芯片的焊垫硬度保持在适当的预定硬度值，故有利于提高导线与焊垫之间的结合可靠度及结合良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 工艺 中的 加热 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体封装打线工艺中的加热治具，其特征在于：所述加热治具包含：一加热块，用以承载一封装载体的一第一区域，以加热所述第一区域至一第一温度；及一主动致冷元件，具有一致热面及一致冷面，所述致热面结合于所述加热块上，所述致冷面用以承载所述封装载体的一第二区域，并主动降低所述第二区域至一第二温度，所述第二温度相对低于所述第一温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
