[发明专利]二极管结构及制造方法无效
| 申请号： | 200910194448.0 | 申请日： | 2009-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN101996992A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 何军 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/082 | 分类号： | H01L27/082;H01L29/861;H01L29/36;H01L21/82;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种二极管结构及制造方法。所述二极管结构包括：衬底中的深阱；深阱的有源区中的第一轻掺杂区，所述第一轻掺杂区的掺杂离子类型与深阱相同，且掺杂离子浓度大于深阱；所述有源区中的第一轻掺杂区两侧的第一重掺杂区及第二重掺杂区，所述第一重掺杂区的掺杂离子类型与深阱相同，第二重掺杂区的掺杂离子类型与深阱不同；衬底表面的隔离层，所述隔离层横跨整个第一轻掺杂区，部分横跨第一重掺杂区及第二重掺杂区；第一重掺杂区及第二重掺杂区表面、隔离层区域外的引出线结构。所述二极管结构具有较低的反向击穿电压，可用于降低静电防护器件的触发电压或高压整压器电路设计中的参考电压。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种二极管结构，其特征在于，包括：衬底中的深阱；深阱的有源区中的第一轻掺杂区，所述第一轻掺杂区的掺杂离子类型与深阱相同，且掺杂离子浓度大于深阱；所述有源区中的第一轻掺杂区两侧的第一重掺杂区及第二重掺杂区，所述第一重掺杂区的掺杂离子类型与深阱相同，第二重掺杂区的掺杂离子类型与深阱不同；衬底表面的隔离层，所述隔离层横跨整个第一轻掺杂区，部分横跨第一重掺杂区及第二重掺杂区；第一重掺杂区及第二重掺杂区表面、隔离层区域外的引出线结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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