[发明专利]一种GaN基LED芯片结构中p-GaN层或ITO层的表面粗化方法有效
| 申请号： | 200910193476.0 | 申请日： | 2009-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN101702419A | 公开（公告）日： | 2010-05-05 |
| 发明（设计）人： | 何安和;章勇;何苗;范广涵 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/02;H01L33/14;H01L33/22;H01L33/44 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 陈卫 |
| 地址： | 510631 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基LED芯片结构中p-GaN层或ITO层的表面粗化方法。该方法包括如下步骤：(1)在半导体衬底上依次生长低温GaN缓冲层、不掺杂GaN层、n-GaN层、多量子阱层、p-GaN层的层叠式结构和蒸镀ITO电流扩展层；(2)制备单层镍纳米粒子作为掩模，在p-GaN层或ITO层表面制作粗化结构。本发明方法步骤简单，成本低，粗化效果好；通过本发明方法对GaN基LED的p-GaN层或ITO层进行表面粗化，可以抑制芯片内光子的全反射，提高器件的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan led 芯片 结构 ito 表面 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基LED芯片结构中p-GaN层或ITO层的表面粗化方法，其特征在于包括如下步骤：(1)在半导体衬底上依次生长低温GaN缓冲层、不掺杂GaN层、n-GaN层、多量子阱层、p-GaN层和蒸镀ITO电流扩展层；(2)制备单层镍纳米粒子作为掩膜，在p-GaN层或ITO层表面制作粗化结构。
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