[发明专利]功率半导体器件的终端及其制作方法有效
| 申请号： | 200910189810.5 | 申请日： | 2009-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102005468A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 肖秀光;孙超 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/36;H01L21/02;H01L21/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种功率半导体器件的终端及其制作方法，所述功率半导体器件包括第一导电类型的第一半导体层，第一半导体层具有含有掺杂第二导电类型的阱区的有源区，所述终端位于第一半导体层中，其中，所述终端具有与有源区邻接的掺杂有第二导电类型的结终端扩展区，所述结终端扩展区的掺杂厚度随距有源区的距离增大而加大，所述结终端扩展区的掺杂浓度随距有源区的距离增大而减小。在本发明终端结构中，所述结终端扩展区的电阻率随着掺杂浓度的减小而增加，单位长度内的横截面积随掺杂厚度的增加而增加，缓解了由于掺杂浓度的递减引起的电阻的上升，从而使终端的电势分布均匀，有效的避免在局部出现过早击穿，提高了终端可承受的耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 终端 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种功率半导体器件的终端，所述功率半导体器件包括第一导电类型的第一半导体层，第一半导体层具有含有掺杂第二导电类型的阱区的有源区，所述终端位于第一半导体层中，其特征在于，所述终端具有与有源区邻接的掺杂有第二导电类型的结终端扩展区，所述结终端扩展区的掺杂厚度随距有源区距离的增大而加大，所述结终端扩展区的掺杂浓度随距有源区距离的增大而减小。
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