[发明专利]半导体器件及其设计方法有效
| 申请号： | 200910179459.1 | 申请日： | 2008-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN101677093A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 佐藤元伸 | 申请（专利权）人： | 富士通微电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军;陈昌柏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其设计方法，所述半导体器件包括第一布线和第二布线以及多个通孔，所述第二布线设置在与设置有所述第一布线的层不同的层上，并相对于所述第一布线沿倾斜方向或垂直方向延伸，所述设计方法包括以下步骤：沿所述第一布线和所述第二布线的其中之一将所述多个通孔排列成线，所述第一布线和所述第二布线的所述其中之一相对于所述通孔位于电子流下游侧。本发明能够在减小通孔总数目的同时保持或改善抗EM性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 设计 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件的设计方法，所述半导体器件包括第一布线和第二布线以及多个通孔，所述第二布线设置在与设置有所述第一布线的层不同的层上，并相对于所述第一布线沿倾斜方向或垂直方向延伸，所述设计方法包括以下步骤：沿所述第一布线和所述第二布线的其中之一将所述多个通孔排列成线，所述第一布线和所述第二布线的所述其中之一相对于所述通孔位于电子流下游侧。
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