[发明专利]具有增加的沟道面积的半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910178583.6 | 申请日： | 2007-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN101673767A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 赵俊熙 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾晋伟;王春伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：有源区域，其限定至少四个表面，该四个表面包括第一、第二、第三和第四表面；栅极绝缘层，其围绕所述有源区域的四个表面形成；和栅电极，其围绕所述栅极绝缘层和所述有源区域的四个表面形成。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增加 沟道 面积 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：有源区域，其限定至少四个表面，该四个表面包括第一、第二、第三和第四表面；栅极绝缘层，其包围所述有源区域的四个表面而形成；和栅电极，其形成为包围所述栅极绝缘层和所述有源区域的四个表面的环形，其中所述有源区域由在所述栅电极之间支撑所述有源区域的柱状物所支撑。
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