[发明专利]具有优化的漂浮扩散的图像传感器及像素有效
申请号: | 200910175098.3 | 申请日: | 2006-01-14 |
公开(公告)号: | CN101694848A | 公开(公告)日: | 2010-04-14 |
发明(设计)人: | 霍华德·E·罗德斯 | 申请(专利权)人: | 豪威科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/82;H01L21/265 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 戴建波 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明揭示了一种有源像素,其包括一设在半导体基体内的感光元件。一传输晶体管设在感光元件与一漂浮扩散之间,其选择运作以将信号从感光元件传输至漂浮扩散。该漂浮扩散由剂量范围为5e13到5e14个离子/平方厘米的n-型植入形成。进一步包括一被漂浮扩散控制的放大晶体管。 | ||
搜索关键词: | 具有 优化 漂浮 扩散 图像传感器 像素 | ||
【主权项】:
一种有源像素,其包括:一设在半导体衬底内的感光元件;一设在所述感光元件与一浮动扩散之间的传输晶体管,该传输晶体管可选择性地将来自所述感光元件的信号传输至所述浮动扩散,其中,所述的浮动扩散是由剂量在5e13到5e14个离子/平方厘米之间的n-型植入形成的;以及一被所述浮动扩散控制的放大晶体管,所述的放大晶体管将所述信号的放大形式输出到列位线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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