[发明专利]半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200910173268.4 | 申请日： | 2009-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN101794071A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 张庆裕 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/32;H01L21/265;H01L21/28 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置的制造方法，包含形成一牺牲层于一基材上；形成一图案化光致抗蚀剂层于该牺牲层上；于该基材上进行离子注入；施予一硫酸(H2SO4)及过氧化氢(H2O2)溶液以移除该图案化光致抗蚀剂层；对该基材进行一清洁工艺；以及进行一湿式蚀刻工艺以移除该牺牲层。本发明可具有各种优点。可有效移除光致抗蚀剂并降低对基材的伤害，可实质上减少或避免在光致抗蚀剂移除之后的基材凹陷。通过以牺牲层作为保护层，可减少光致抗蚀剂残余物。任何在牺牲层上的缺陷及残余物可被底切(undercut)或溶解至湿式化学品中，残余物及缺陷因此可从晶片表面离去(lifted off)。此外，牺牲层可增进光致抗蚀剂黏着性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，包括：形成一牺牲层于一基材上；形成一图案化光致抗蚀剂层于该牺牲层上；对该基材进行离子注入；施予一第一湿式蚀刻溶液以移除该图案化光致抗蚀剂层；以及施予一第二湿式蚀刻工艺以移除该牺牲层。
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