[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200910173163.9 | 申请日： | 2009-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN101677109A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 一条尚生 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘 杰;李家麟 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够防止垂直于源-漏方向上的耐压低下的、能够增大对于过电压、过电流的耐性的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置包括P型半导体基板(201)、N型扩散区域(202)、在N型扩散区域(202)内形成的P型主体区域(206)、在N型扩散区域(202)内形成的P型埋入扩散区域(204)、在P型主体区域(206)内形成的N型源区域(208)和P型主体接触区域(209)、在N型扩散区域(202)内形成的N型漂移区域(207)、在N型漏区域(207)内形成的N型漏区域(210)、在P型主体区域(206)上形成的栅绝缘膜和在该栅绝缘膜上形成的栅电极(211)，在垂直于源-漏方向的剖面上，P型埋入扩散区域(204)离开P型主体区域(206)的距离大于栅电极(211)离开P型主体区域(206)的距离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括第1导电型半导体基板、在上述半导体基板上形成的第2导电型区域、在上述第2导电型区域内形成的第1导电型主体区域、在上述第2导电型区域内、在上述第1导电型半导体基板和上述第1导电型主体区域之间与上述第1导电型主体区域相接触而形成的第1导电型埋入扩散区域、在上述第1导电型主体区域内形成的第2导电型源区域和第1导电型主体接触区域、在上述第2导电型区域内的与上述第1导电型主体区域相离的位置上形成的第2导电型漂移区域、在上述第2导电型漂移区域内形成的第2导电型漏区域、在上述第1导电型主体区域上形成的栅绝缘膜、以及在上述栅绝缘膜上形成的栅电极，在垂直于源-漏方向的剖面上，上述第1导电型埋入扩散区域离开上述第1导电型主体区域的距离大于上述栅电极离开上述第1导电型主体区域的距离。
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