[发明专利](110)取向P沟道具有高K栅极电介质的沟槽型MOSFET无效
| 申请号： | 200910170816.8 | 申请日： | 2009-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN101673766A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 塔特·恩盖;王琦 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/04;H01L21/283 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体器件，具有覆在金属衬底之上的重掺杂p型(110)半导体层。该半导体器件还包括：第一金属层和覆在第一金属层之上的第一p型半导体层。所述第一p型半导体层是重掺杂的，并且具有(110)的表面晶向，且特征在于第一电导率。第二p型半导体层覆在第一p型半导体层之上，且具有(110)的表面晶向以及低于第一电导率的第二电导率；栅极介电层，具有高介电常数材料，所述栅极介电层沿着第二p型半导体层中的(110)晶面布置。第二金属层覆在第二p型半导体层之上。在第一金属层和第二金属层之间的电流传导的特征在于沿着<110>晶向和在(110)晶面上的空穴迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 110 取向 沟道 具有 栅极 电介质 沟槽 mosfet | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，具有覆在金属衬底之上的重掺杂p型(110)半导体层，所述半导体器件包括：第一金属层；第一p型半导体层，覆在所述第一金属层之上，所述第一p型半导体层是重掺杂的，并且具有(110)的表面晶向，所述第一p型半导体层的特征在于第一电导率；第二p型半导体层，覆在所述第一p型半导体层之上，所述第二半导体层具有(110)的表面晶向以及低于所述第一电导率的第二电导率；栅极介电层，包括高介电常数材料，所述栅极介电层沿着所述第二p型半导体层中的(110)晶面布置；以及第二金属层，覆在所述第二p型半导体层之上；其中，在所述第一金属层和所述第二金属层之间的电流传导的特征在于沿着<110>晶向和在(110)晶面上的空穴迁移率。
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