[发明专利]估计半导体装置中的泄漏电流的方法

摘要

本发明提供一种估计半导体装置中的泄漏电流的方法。在估计半导体装置的泄漏电流的方法中，通过网格模型将包括多个单元的芯片划分为段。空间相关性被确定为涉及每个单元中的泄漏电流的工艺参数之间的空间相关性。通过算术地运算实际泄漏特性函数来产生单元的虚拟单元泄漏特性函数。通过算术地运算段中的每个单元的虚拟单元泄漏特性函数来产生段泄漏特性函数。然后，通过以统计学方式运算芯片中的每个段的段泄漏特性函数来产生全芯片泄漏特性函数。因此，可以显著地减小用于产生全芯片泄漏特性函数的Wilkinson的方法的计算负荷。

主权项

1.一种估计半导体装置中的泄漏电流的方法，包括：将基板上的芯片划分为多个段，所述芯片包括多个单元，在所述单元上形成有集成电路的各种单位传导结构；确定与每个所述单元中的泄漏电流有关的工艺参数之间的空间相关性；通过分别算术运算实际泄漏特性函数来产生所述单元的虚拟单元泄漏特性函数，所述实际泄漏特性函数确定从所述单元产生的泄漏电流，所述虚拟单元泄漏特性函数等价于实际泄漏特性函数，并且通过所述虚拟单元泄漏特性函数产生的虚拟泄漏电流等价于所述单元中的泄漏电流；通过算术运算所述段中每个单元的所述虚拟单元泄漏特性函数来产生段泄漏特性函数，所述段泄漏特性函数确定从所述芯片的所有段产生的虚拟泄漏电流；以及通过以统计学方式运算所述芯片中每个段的所述段泄漏特性函数来产生全芯片泄漏特性函数，所述全芯片泄漏特性函数确定从所述半导体装置的整个芯片产生的虚拟泄漏电流。