[发明专利]用于互连结构的含氮金属帽有效
| 申请号： | 200910163320.8 | 申请日： | 2009-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN101651130A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 杨智超;胡朝坤 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 刘 倜 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种互连结构，其具有增强的电迁移可靠性而不使电路短路发生率恶化，并具有改善的技术可扩展性。本发明的互连结构包括具有约3.0或更小的介电常数的介电材料。介电材料具有至少一种导电材料嵌入在其中。含氮贵金属帽主要(即基本上)位于所述至少一个导电区的上表面上。含氮贵金属帽不延伸到介电材料的上表面上。在一些实施例中，含氮贵金属帽与嵌入的导电材料自对准，而在其他实施例中，含氮贵金属帽的一些部分延伸到将所述至少一种导电材料与介电材料分隔的扩散阻挡层的上表面上。本发明还提供利用低温(约200℃或更低)化学沉积工艺制造这样的互连结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 互连 结构 金属 | ||
【主权项】：
1.一种互连结构，包括：介电常数为约3.0或更小的介电材料，所述介电材料具有至少一种导电材料嵌入在所述介电材料中，所述至少一种导电材料具有与所述介电材料的上表面共面的上表面；和含氮贵金属帽，基本上位于所述至少一种导电材料的所述上表面上，所述含氮贵金属帽不延伸到所述介电材料的所述上表面上，并且在所述介电材料的上表面上没有含氮贵金属残余存在。
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