[发明专利]半导体器件及半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200910152346.2 | 申请日： | 2009-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN101621073A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | 山川真弥 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/51;H01L29/49;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体器件及半导体器件的制造方法，该半导体器件包括：栅极电极，形成在半导体基板的表面中挖出的凹槽中，在栅极电极和半导体基板之间插设有栅极绝缘膜；源极-漏极扩散层，形成在半导体基板的相邻于栅极电极两侧的表面上；以及应力施加层，以覆盖源极-漏极扩散层的方式，形成在深入半导体基板的表面的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包括：栅极电极，形成在半导体基板的表面中挖出的凹槽中，栅极绝缘膜插设在所述栅极电极和所述半导体基板之间；源极-漏极扩散层，形成在所述半导体基板的相邻于所述栅极电极两侧的表面上；以及应力施加层，以覆盖所述源极-漏极扩散层的表面的方式形成为深入所述半导体基板的表面。
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