[发明专利]半导体器件及半导体器件的制造方法

权利要求书

1、一种半导体器件，包括：

栅极电极，形成在半导体基板的表面中挖出的凹槽中，栅极绝缘膜插设在所述栅极电极和所述半导体基板之间；

源极-漏极扩散层，形成在所述半导体基板的相邻于所述栅极电极两侧的表面上；以及

应力施加层，以覆盖所述源极-漏极扩散层的表面的方式形成为深入所述半导体基板的表面。

2、如权利要求1所述的半导体器件，其中沟道部分距所述半导体器件表面的位置浅于所述应力施加层的深度位置。

3、如权利要求1所述的半导体器件，其中所述应力施加层具有生长在所述源极-漏极扩散层表面上的硅化物膜。

4、如权利要求1所述的半导体器件，其中所述应力施加层具有由形成在所述源极-漏极扩散层上的绝缘材料形成的应力衬层膜。

5、如权利要求4所述的半导体器件，其中作为所述应力施加层的构成部分的所述应力衬层膜连续地覆盖从所述源极-漏极扩散层延伸到所述栅极电极侧壁的区域。

6、如权利要求1所述的半导体器件，其中所述应力施加层具有层叠结构，所述层叠结构由生长在所述源极-漏极扩散层表面上的硅化物膜和由绝缘材料形成在所述硅化物膜上的应力衬层膜组成。

7、如权利要求6所述的半导体器件，其中作为所述应力施加层的构成部分的所述应力衬层膜连续地覆盖从所述源极-漏极扩散层延伸到所述栅极电极侧壁的区域。

8、如权利要求1所述的半导体器件，其中

通过下挖，在所述半导体基板和该半导体基板上的绝缘膜中形成沟槽图案，使所述沟槽图案的底部为所述半导体基板，并且

所述栅极电极形成为隔着所述栅极绝缘膜填充所述沟槽图案，所述栅极绝缘膜至少覆盖所述半导体基板的暴露表面。

9、如权利要求8所述的半导体器件，其中所述栅极绝缘膜形成为覆盖所述沟槽图案的包括底部的内壁。

10、如权利要求8所述的半导体器件，其中所述栅极绝缘膜以所述沟槽图案的内壁的上部暴露的方式形成。

11、如权利要求1所述的半导体器件，其中所述栅极绝缘膜包含含有选自铝(Al)、钇(Y)、锆(Zr)、镧(La)、铪(Hf)和钽(Ta)中至少一种的氧化物、氧硅化物、氧氮化物或者氧氮硅化物。

12、如权利要求1所述的半导体器件，其中所述栅极电极具有包括用于调整所述栅极电极的功函数的功函数调节层的层叠结构。

13、如权利要求12所述的半导体器件，其中所述功函数调节层与所述栅极绝缘膜接触。

14、一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

第一步骤，在半导体基板上形成虚设栅极电极，并且在所述半导体基板的在所述虚设栅极电极两侧的表面层中形成源极-漏极扩散层；

第二步骤，在所述源极-漏极扩散层的表面层中在所述源极-漏极扩散层的深度范围内，深入所述半导体基板的表面形成应力施加层；

第三步骤，形成层间绝缘膜以覆盖所述虚设栅极电极和应力施加层，使所述虚设栅极电极从所述层间绝缘膜暴露，并且去除所述虚设栅极电极，由此在所述层间绝缘膜中形成沟槽图案，并且使所述半导体基板暴露；

第四步骤，下挖所述半导体基板的在所述沟槽图案的底部露出的表面；以及

第五步骤，在所述半导体基板的暴露表面中被下挖的所述沟槽图案中，隔着栅极绝缘膜埋设新的栅极电极。

15、如权利要求14所述的制造半导体器件的方法，其中在所述第四步骤中下挖所述半导体基板的深度浅于所述应力施加层的深度位置。

16、如权利要求14所述的制造半导体器件的方法，其中

所述第一步骤是在所述虚设栅极电极的侧面形成侧壁，并在所述虚设栅极电极和所述侧壁的外面形成源极-漏极扩散层，并且

所述第二步骤是在所述侧壁的外面形成所述应力施加层。

17、如权利要求14所述的制造半导体器件的方法，其中所述第二步骤是形成硅化物膜的所述应力施加层作为所述应力施加层。