[发明专利]氮化物半导体发光元件有效
| 申请号： | 200910148877.4 | 申请日： | 2005-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN101587932A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 坂本贵彦;滨口安崇 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化物半导体元件，其基板上包括n侧氮化物半导体层和p侧氮化物半导体层，p侧氮化物半导体层上形成有透光电极(10)，且形成有用于与外部电路连接的p侧焊盘电极(14)，n侧氮化物半导体层上形成有用于与外部电路连接的n侧焊盘电极(12)，并从p侧氮化物半导体层一侧观测发光，并在与上述基板的主面垂直的面内，将上述透光电极(10)及/或上述p侧氮化物半导体层的端面所具有的与上述基板的主面之间所形成的角度即锥角，根据其从上述基板的上面观测时的位置的不同而具有设定成不同的角度。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体发光元件，其包括：基板；形成于上述基板上的n侧氮化物半导体层、活性层及p侧氮化物半导体层；形成于上述p侧氮化物半导体层上的透光电极；形成于上述p侧氮化物半导体层上的用于与外部电路连接的p侧焊盘电极；以及形成于去除上述p侧氮化物半导体层和上述活性层的一部分而露出的上述n侧氮化物半导体层上的用于与外部电路连接的n侧焊盘电极，所述氮化物半导体发光元件的特征在于：关于在与上述基板的主面垂直的面内，上述p侧氮化物半导体层和上述活性层的端面与上述基板的主面之间所形成的角度即锥角，当观测上述氮化物半导体发光元件的上述p侧氮化物半导体层的面内的亮度分布时，发光强度最弱区域的上述锥角小于发光强度最强区域的上述锥角。
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