[发明专利]具有电磁屏蔽源极板的非易失性存储器件及其形成方法无效
| 申请号: | 200910146627.7 | 申请日: | 2009-06-03 | 
| 公开(公告)号: | CN101599494A | 公开(公告)日: | 2009-12-09 | 
| 发明(设计)人: | 金钟源;李云京 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 | 
| 主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;G11C16/02;H01L23/58;H01L23/48;H01L23/52;H01L21/8247;H01L21/60 | 
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 穆德骏;陆锦华 | 
| 地址: | 韩国京畿道水*** | 国省代码: | 韩国;KR | 
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| 摘要: | 本发明提供了具有电磁屏蔽源极板的非易失性存储器件及其形成方法。该半导体器件包括半导体衬底,其包含单元阵列区;存储器单元晶体管,设置在单元阵列区;位线,设置在该存储器单元晶体管上;以及源极板,设置在存储器单元晶体管与位线之间以遮蔽其下的存储器单元晶体管。 | ||
| 搜索关键词: | 具有 电磁 屏蔽 极板 非易失性存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
                1.一种非易失性存储器件,包括:存储器阵列,包括位于衬底中的并排位置处的多串非易失性存储器单元,所述多串非易失性存储器单元包括一排接地选择晶体管;多个位线,分别电气地耦合到所述多串非易失性存储器单元之一;以及源极板,电气地耦合到所述一排接地选择晶体管的源极区,所述源极板在与所述多串非易失性存储器单元中的每一个相关的多个字线上二维延伸。
            
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                    H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
                
            H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





