[发明专利]具有电磁屏蔽源极板的非易失性存储器件及其形成方法无效

专利信息
申请号: 200910146627.7 申请日: 2009-06-03
公开(公告)号: CN101599494A 公开(公告)日: 2009-12-09
发明(设计)人: 金钟源;李云京 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/115 分类号: H01L27/115;G11C16/02;H01L23/58;H01L23/48;H01L23/52;H01L21/8247;H01L21/60
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 穆德骏;陆锦华
地址: 韩国京畿道水*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明提供了具有电磁屏蔽源极板的非易失性存储器件及其形成方法。该半导体器件包括半导体衬底,其包含单元阵列区;存储器单元晶体管,设置在单元阵列区;位线,设置在该存储器单元晶体管上;以及源极板,设置在存储器单元晶体管与位线之间以遮蔽其下的存储器单元晶体管。
搜索关键词: 具有 电磁 屏蔽 极板 非易失性存储器 及其 形成 方法
【主权项】:
1.一种非易失性存储器件,包括:存储器阵列,包括位于衬底中的并排位置处的多串非易失性存储器单元,所述多串非易失性存储器单元包括一排接地选择晶体管;多个位线,分别电气地耦合到所述多串非易失性存储器单元之一;以及源极板,电气地耦合到所述一排接地选择晶体管的源极区,所述源极板在与所述多串非易失性存储器单元中的每一个相关的多个字线上二维延伸。
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