[发明专利]复合半导体器件、印头以及图像形成装置有效
| 申请号： | 200910145514.5 | 申请日： | 2009-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN101621048A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | 大川一也;十文字伸哉;谷中真澄;浜野广;小泉真澄 | 申请（专利权）人： | 日本冲信息株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/78;B41J2/45;H04N5/335 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 臧霁晨;李家麟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种复合半导体器件，该复合半导体器件形成于具有多个器件形成区域和多个切割区域的半导体晶片，并且通过在所述多个切割区域切割所述半导体晶片而形成，其中，半导体元件形成在所述多个器件形成区域内，并且所述切割区域被限定在所述器件形成区域之间。该复合半导体器件包括半导体基板，和多个布线层，所述多个布线层层叠在所述半导体基板上。布线层至少包括导电薄膜。连接部分被形成以便将所述布线层在层叠方向上彼此连接，每个所述连接部分被布置在所述器件形成区域上相对于切割位置一侧，其中，所述切割位置被限定在切割区域内。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 半导体器件 以及 图像 形成 装置 | ||
【主权项】：
1.一种复合半导体器件，所述复合半导体器件形成于具有多个器件形成区域和多个切割区域的半导体晶片，并且通过在所述多个切割区域切割所述半导体晶片而形成，其中，半导体元件形成在所述多个器件形成区域内，并且所述切割区域被限定在所述器件形成区域之间，所述复合半导体器件包括：半导体基板，和多个布线层，所述多个布线层层叠在所述半导体基板上，并且所述多个布线层至少包括导电薄膜，其中，连接部分被形成以便将所述布线层在所述布线层的层叠方向上彼此连接，每个所述连接部分被布置在所述器件形成区域上相对于切割位置一侧，其中，所述切割位置被限定在所述切割区域内。
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