[发明专利]形成半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200910143798.4 | 申请日： | 2009-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN101752293A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 金守镇 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/312;H01L21/311;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种形成半导体器件的方法包括：提供其中形成有栅极绝缘图案和第一导电图案的半导体衬底，实施第一蚀刻工艺以使得每个第一导电图案的宽度变窄，在第一导电图案、栅极绝缘图案和半导体衬底的暴露表面上形成辅助层，和通过蚀刻第一导电图案之间的半导体衬底和辅助层形成沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体器件的方法，包括：提供限定有栅极绝缘图案和第一导电图案的半导体衬底；实施第一蚀刻工艺以使得每个所述第一导电图案的宽度变窄；在所述第一导电图案、所述栅极绝缘图案和所述半导体衬底的暴露的表面上形成辅助层；和通过蚀刻所述第一导电图案之间的所述半导体衬底和所述辅助层形成沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
