[发明专利]形成半导体器件的方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

提供限定有栅极绝缘图案和第一导电图案的半导体衬底；

实施第一蚀刻工艺以使得每个所述第一导电图案的宽度变窄；

在所述第一导电图案、所述栅极绝缘图案和所述半导体衬底的暴露的 表面上形成辅助层；和

通过蚀刻所述第一导电图案之间的所述半导体衬底和所述辅助层形成 沟槽。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一蚀刻工艺是各向同性蚀刻 工艺。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述各向同性蚀刻工艺是使用HBr、 Cl₂和O₂的混合气体的干蚀刻工艺。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括在形成所述沟槽之后：

在所述各沟槽内形成隔离层；

降低所述隔离层的高度以暴露所述第一导电图案的顶部；和

在包括所述隔离层和所述第一导电图案的整个表面上形成介电层和第 二导电层。

5.根据权利要求4所述的方法，还包括：在形成所述沟槽和形成所述隔 离层之间，实施第二蚀刻工艺以移除所保留的辅助层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述辅助层包括聚合物。

7.根据权利要求1所述的方法，包括使用CH₂F₂气体或C₅F₈气体形成所 述辅助层。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述第一蚀刻工艺之后，实施 对所述第一导电图案的蚀刻损伤进行补偿的处理工艺。

9.根据权利要求8所述的方法，包括在由O₂气体或由HBr和O₂的混合 气体构成的气氛下实施所述处理工艺。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，当形成所述沟槽时，完全地移除 所述辅助层或者部分所述辅助层保留在所述第一导电图案的侧壁上。

11.根据权利要求1所述的方法，包括：在其中用于形成所述第一导电图 案的硬掩模图案保留在所述第一导电图案上的状态下实施所述第一蚀刻 工艺。

12.一种形成半导体器件的方法，包括：

提供限定有栅极绝缘图案和第一导电图案的半导体衬底；

实施第一蚀刻工艺以使得每个所述第一导电图案的宽度变窄；

实施第二蚀刻工艺以沿着每个具有变窄宽度的所述第一导电图案而在 暴露的所述半导体衬底中形成沟槽；

在所述沟槽和所述第一导电图案上形成辅助图案；和

使每个所述沟槽的深度增加，由此形成隔离区。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一蚀刻工艺是各向同性蚀刻 工艺。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述各向同性蚀刻工艺是使用 HBr、Cl₂和O₂的混合气体的干蚀刻工艺。

15.根据权利要求12所述的方法，其中所述第二蚀刻工艺是各向异性蚀刻 工艺。

16.根据权利要求15所述的方法，包括：使用HBr、Cl₂和O₂的混合气体 来实施所述各向异性蚀刻工艺。

17.根据权利要求12所述的方法，还包括：在实施所述第二蚀刻工艺之后 并且在形成所述辅助图案之前，实施对所述第一导电图案的表面的损伤进 行补偿的处理工艺。

18.根据权利要求17所述的方法，包括：在由O₂气体或由HBr和O₂的 混合气体构成的气氛下、使用仅仅等离子源功率来实施所述处理工艺。

19.根据权利要求17所述的方法，包括重复实施所述第一蚀刻工艺、所述 第二蚀刻工艺和所述处理工艺。