[发明专利]氮化物半导体发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200910143038.3 | 申请日： | 2005-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN101577305A | 公开（公告）日： | 2009-11-11 |
| 发明（设计）人： | 李昔宪 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜有;王春伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种氮化物半导体发光器件，包括：第一氮化物半导体层；形成在所述第一氮化物半导体层上方的有源层；和形成在所述有源层上方的δ掺杂第二氮化物半导体层。根据本发明，提高了氮化物半导体发光器件的光功率，改善了光功率下降现象并提高了抗ESD(静电放电)的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体发光器件，包括：第一氮化物半导体层；形成在所述第一氮化物半导体层上方的有源层；和形成在所述有源层上方的δ掺杂第二氮化物半导体层，其中所述δ掺杂第二氮化物半导体层形成为具有由掺杂剂量变化的层组成的至少一个周期，其中在所述δ掺杂第二氮化物半导体层中重复生长所述周期。
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