[发明专利]半导体元件的制造方法有效
| 申请号： | 200910141835.8 | 申请日： | 2009-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN101661883A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | 陈建豪;侯永田;徐鹏富;黄国泰;赵元舜;洪正隆 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 姜 燕;陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种通过减少栅极结构中界面层厚度来维持等效氧化层厚度的半导体元件的制造方法。该方法包括一界面层形成在一基材上；一栅极介电层例如高介电常数介电质形成此界面层上；一吸气层形成在此基材上方的界面层上，此吸气层有自界面层吸收氧气的功能，可使界面层的厚度减小和/或限制此界面层成长。本发明有益于控制栅极结构的等效氧化层厚度。其中吸气层可包含一介电和/或一金属层，此吸气层可从此栅极堆叠移除或保留在此结构中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件的制造方法，包括：提供一半导体基材；在该半导体基材上形成一界面层；在该界面层上形成一栅极介电层；及在该栅极介电层上形成一吸气层，其中该吸气层包含一可吸收氧气的介电成分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
