[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200910141813.1 | 申请日： | 2009-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN101667537A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 高野和丰;村上纯一;凑忠玄 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L21/33;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 闫小龙;王小衡 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明目的在于提供半导体装置的制造方法，该方法能够无弊病地形成用于实现半导体装置的高耐压化、耐压稳定化、电极的电位稳定化、耐压保持区域的缩短等的半绝缘性膜。该方法的特征在于包括以下工序：在半导体衬底表面形成P型区域的工序；在该P型区域上形成Al电极的工序；形成与该Al电极相接并由与Al相比不易与Si反应的物质构成的层间膜的工序；以及在该层间膜上形成含有Si的半绝缘性膜的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：在半导体衬底表面上形成P型区域的工序；在所述P型区域上形成铝电极的工序；形成层间膜的工序，其中，该层间膜与所述铝电极相接，由与铝相比不易与硅反应的物质构成；以及在所述层间膜上形成含有硅的半绝缘性膜的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
