[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：

在半导体衬底表面上形成P型区域的工序；

在所述P型区域上形成铝电极的工序；

形成作为导电性的金属膜的层间膜的工序，其中，该层间膜与所述 铝电极相接，由与铝相比不易与硅反应的物质构成；以及

在所述层间膜上形成含有硅的半绝缘性膜的工序。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述P型区域是在元件区域的周围形成的保护环。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述层间膜以覆盖所述铝电极的方式形成，

所述铝电极与所述半绝缘性膜不直接接触而经由所述层间膜接触。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在形成所述层间膜的工序之后且形成半绝缘性膜的工序之前，还具 备：

在所述层间膜上涂覆抗蚀剂的工序；

通过照相制版形成规定的抗蚀剂图形的工序；

对所述抗蚀剂图形的开口部的所述层间膜进行蚀刻的工序；

在所述蚀刻之后剥离抗蚀剂的工序；以及

在剥离所述抗蚀剂之后将所述层间膜作为掩模进行所述铝电极的 蚀刻的工序。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述P型区域为元件区域中的P基极层，

所述铝电极是在所述P基极层上隔着层间绝缘膜形成的栅极电极、 以及在所述P基极层上形成的发射极电极。

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述层间膜为含有1％以上的硅的硅化铝，

除去所述层间膜上的所述半绝缘性膜的一部分，

还具备：对除去了所述半绝缘性膜的所述层间膜表面进行引线接合 的工序。

7.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：

在半导体衬底表面上形成P型区域的工序；

在所述P型区域上形成铝电极的工序；

形成作为绝缘膜的层间膜的工序，其中，该层间膜与所述铝电极相 接，由与铝相比不易与硅反应的物质构成；以及

以与所述层间膜以及所述铝电极相接的方式形成含有Si的半绝缘 性膜的工序。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在形成所述层间膜的工序中对所述铝电极表面进行氧气等离子体 处理。

9.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在形成所述层间膜的工序中利用导入了氧气的铝溅射装置在所述 铝电极表面上形成三氧化二铝。