[发明专利]沟渠式金氧半导体组件的制作方法

摘要

一种沟渠式金氧半导体组件的制作方法。首先，形成一图案层于一半导体底材上。随后，在图案层的开口的侧边制作一侧壁结构，以形成闸极沟渠于半导体底材内。接下来，填入介电材料于图案层的开口内，以形成介电结构于闸极上方。在去除图案层与侧壁结构后，形成一介电层覆盖介电结构，并利用位于介电结构侧边的介电层定义源极区于闸极沟渠的侧边。形成源极区之后，形成一介电层覆盖介电结构，并利用位于介电结构侧边的介电层定义重掺杂区于源极区的旁边。本发明的沟渠式金氧半导体组件的制作方法可缩小金氧半导体组件的尺寸，提高组件密度，降低生产成本。

主权项

一种沟渠式金氧半导体组件的制作方法，其特征在于，包括：提供一半导体底材；形成一闸极沟渠于该半导体底材内，该闸极沟渠由该半导体底材的一上表面向下延伸；形成一闸极于该闸极沟渠内；形成一介电结构于该闸极上方，该介电结构突出该半导体底材的该上表面；形成一井区于该半导体底材的上部分；形成一源极区于该井区内，并且邻接于该闸极；全面沉积一第一介电层于该半导体底材上，其中，位于该介电结构侧壁的该第一介电层大致遮蔽该源极区；以该介电结构与位于该介电结构侧壁的该第一介电层为屏蔽，以离子植入方式形成一重掺杂区于该井区内；去除至少部分该第一介电层，以裸露该源极区与该重掺杂区；以及制作一源极金属层连接该源极区与该重掺杂区。