[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供一种对于具有三阱结构的半导体装置能够提高制造良率以及产品可靠性的技术。在与在p型基板Sub内所形成的深n型阱DNW0、浅p型阱PW及浅n型阱NW的形成的区域所不同的区域上形成浅p型阱PW100，使用第2层布线将在所述浅p型阱PW100内所形成的p型扩散分接头PD100、与在深n型阱DNW0内的浅n型阱NW0内所形成的p型扩散分接头PD0加以连接，并且使用第2层以上的布线将在深n型阱DNW0内所形成的nMIS200n的栅电极以及pMIS200p的栅电极、与在基板Sub内所形成的nMIS100n的漏电极以及pMIS100p的漏电极加以连接。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，包含：第1导电型的基板；形成于所述基板内的与所述第1导电型不同的第2导电型的深阱；形成于所述基板内的互不相同区域上的所述第1导电型的第1浅阱和所述第2导电型的第2浅阱；形成于所述第1浅阱内的所述第2导电型的第1场效应晶体管；形成于所述第2浅阱内的所述第1导电型的第2场效应晶体管；形成于所述深阱内的互不相同区域上的所述第1导电型的第3浅阱和所述第2导电型的第4浅阱；形成于所述第3浅阱内的所述第2导电型的第3场效应晶体管；以及形成于所述第4浅阱内的所述第1导电型的第4场效应晶体管，还包含：在所述基板内的与形成有所述深阱、所述第1浅阱和所述第2浅阱的区域所不同的区域上所形成的所述第1导电型的第5浅阱；以及形成于所述第5浅阱内的所述第1导电型的第5扩散分接头，使用第n层布线将所述第5扩散分接头、与形成于所述第3浅阱内的所述第1导电型的第3扩散分接头加以连接，并且使用第n层以上的布线，将所述第3场效应晶体管的栅电极以及所述第4场效应晶体管的栅电极、与所述第1场效应晶体管的漏电极以及所述第2场效应晶体管的漏电极加以连接。