[发明专利]半导体制造设备预先洁净反应室组件表面陶瓷涂布无效
申请号: | 200910134414.2 | 申请日: | 2009-04-09 |
公开(公告)号: | CN101859691A | 公开(公告)日: | 2010-10-13 |
发明(设计)人: | 陈学哲;吴柏成;周宗治;邓仁勇 | 申请(专利权)人: | 世禾科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;B05D5/02 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明是关一种可使用于半导体、平面显示器、太阳能电池面板生产反应室内部件中,具有各种几何涂布图案设计的热喷涂陶瓷涂布层。该陶瓷涂布层的几何图案设计是依反应室内操作条件,如,所使用的能量、电浆生成气体的成分、反应室内所设计的电浆分布态样及后续的反应与反应室中薄膜成份配方等。又该陶瓷涂布层的制造过程包含了:该陶瓷涂布几何图案的设计、该陶瓷涂布层的厚度分布、表面粗糙度及涂布层成分设计、使用一特殊遮蔽程序以制作出所期望的几何形状分布的涂布层及后续的喷砂处理以得到所想要的表面粗糙度。 | ||
搜索关键词: | 半导体 制造 设备 预先 洁净 反应 组件 表面 陶瓷 | ||
【主权项】:
一种具有热喷涂陶瓷涂布层的制造反应室及其组件,其中该制造反应室包含有下列组件:一圆顶形的外罩;一上部保护挡板;一升降平台;一石英绝缘体;一下部保护挡板;以及一置于升降平台上的待处理基材;在上述各组件中,除待处理基材以外,其余组件表面是含有一层具特定几何图案、表面粗糙度及组成物的陶瓷涂布层,且该陶瓷涂布层是能进一步使用后制处理改变其表面粗糙度或其它特性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造