[发明专利]半导体制造设备预先洁净反应室组件表面陶瓷涂布

权利要求书

1.一种具有热喷涂陶瓷涂布层的制造反应室及其组件，其中该制造反应室包含有下列组件：

一圆顶形的外罩；

一上部保护挡板；

一升降平台；

一石英绝缘体；

一下部保护挡板；以及

一置于升降平台上的待处理基材；

在上述各组件中，除待处理基材以外，其余组件表面是含有一层具特定几何图案、表面粗糙度及组成物的陶瓷涂布层，且该陶瓷涂布层是能进一步使用后制处理改变其表面粗糙度或其它特性。

2.根据权利要求1所述的制造反应室及其组件，其中该陶瓷涂布层的表面粗糙度为0.5μm到300μm。

3.根据权利要求1所述的制造反应室及其组件，其中该陶瓷涂布层的厚度为15μm至300μm。

4.根据权利要求1所述的制造反应室及其组件，其中该陶瓷涂布层的硬度为Hv100至Hv3000。

5.根据权利要求1所述的制造反应室及其组件，其该陶瓷涂布层的成分可为氧化铝、氧化锆、氧化钇、氧化镁、氧化钙或其任意组成的混合物。

6.根据权利要求1所述的制造反应室及其组件，其是可用于半导体晶圆、平面显示器基材或太阳能电池面板基材预清洁处理。

7.根据权利要求1所述的制造反应室及其组件，其该陶瓷涂布层可进一步附加喷砂处理以控制表面粗糙度的步骤。

8.一种制造根据权利要求1所述的反应室及其组件的制造方法，该制造方法是包含以一抗热膜光罩程序在上述各组件中制作出一层具特定几何图案、表面粗糙度及组成物的陶瓷涂布层，且该陶瓷涂布层是可进一步使用后制处理改变其表面粗糙度或其它特性。

9.根据权利要求8所述的反应室及其组件的制造方法，其中该耐热光阻带光罩程序包含使用一模具将未形成涂布的区域以光阻膜加以保护，再进行后续的热喷涂程序。

10.根据权利要求8所述的反应室及其组件的制造方法，其中该后制处理包含使用不同尺寸的玻璃珠进行喷砂以控制表面粗糙度的步骤。