[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200910133874.3 | 申请日： | 2009-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN101599508A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 大竹诚治 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置。在箝位二极管中，能够抑制漏泄电流，同时降低其动作电压。在N-型半导体层2的表面，形成有P-型扩散层5。在PN+型扩散层6形成有P+型扩散层7。在邻接P-型扩散层5的N-型半导体层2的表面，形成有N+型扩散层8。形成有阴极电极10，其穿过开口于N+型扩散层6上的绝缘膜9的接触孔，而电连接于N+型扩散层6。形成有配线11(阳极电极)，其穿过分别开口于P+型扩散层7以及N+型扩散层8上的绝缘膜9的各接触孔，而电连接于P+型扩散层7以及N+型扩散层8。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：第一导电型半导体层，形成于所述半导体层表面的第二导电型的第一扩散层，形成于所述第一扩散层表面的第一导电型的第二扩散层，连接所述第二扩散层的第一电极，将所述半导体层和所述第一扩散层短路的第二电极。
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