[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200910132732.5 | 申请日： | 2009-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN101714518A | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 郑钧隆;郑光茗;庄学理 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/31;H01L21/3105;C23C16/44 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是揭示一种半导体装置的制造方法，可改善其性能。上述方法包含：提供一基底，其具有一第一区与一第二区；在上述第一区与上述第二区区中，分别形成至少一第一隔离区与至少一第二隔离区，上述至少一第一隔离区具有一第一深宽比(aspect ratio)，上述至少一第二隔离区具有一第二深宽比；执行一高深宽比沉积工艺，以在上述基底的上述第一区与上述第二区上形成一第一层；从上述第二区移除上述第一层；以及执行一高密度等离子体沉积工艺，以在上述基底的上述第一区与上述第二区上形成一第二层。本发明可以消除具有较高深宽比的间隔内形成的空孔，改善了装置效能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，包含：提供一基底，其具有一第一区与一第二区；在该第一区与该第二区区中，分别形成至少一第一隔离区与至少一第二隔离区，该至少一第一隔离区具有一第一深宽比，该至少一第二隔离区具有一第二深宽比；执行一高深宽比沉积工艺，以在该基底的该第一区与该第二区上形成一第一层；从该第二区移除该第一层；以及执行一高密度等离子体沉积工艺，以在该基底的该第一区与该第二区上形成一第二层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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