[发明专利]非易失性半导体存储装置及其驱动方法无效
| 申请号： | 200910132543.8 | 申请日： | 2009-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN101552039A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | 藤木润 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 许海兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种非易失性半导体存储装置的驱动方法。上述非易失性半导体存储装置具有：具有沟道和设置在上述沟道两侧的源/漏区域的半导体层、设置在上述沟道之上的第一绝缘膜、浮动电极、第二绝缘膜、以及栅电极。在上述驱动方法中，为了设为向上述浮动电极注入了第一极性的电荷的状态，向上述半导体层与上述栅电极之间提供将上述第一极性的电荷注入到上述第二绝缘膜中的第一电位差，之后，提供将与上述第一极性相反极性的第二极性的电荷注入到上述第二绝缘膜中的第二电位差，之后，提供将上述第一极性的电荷注入到上述浮动电极中的第三电位差。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 装置 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性半导体存储装置的驱动方法，该非易失性半导体存储装置具有：具有沟道和设置在上述沟道两侧的源区域以及漏区域的半导体层；设置在上述沟道之上的第一绝缘膜；设置在上述第一绝缘膜之上的浮动电极；设置在上述浮动电极之上的第二绝缘膜；以及设置在上述第二绝缘膜之上的栅电极，通过向上述浮动电极注入电荷来改变数据的存储状态，该非易失性半导体存储装置的驱动方法的特征在于，为了设为向上述浮动电极注入了第一极性的电荷的状态，向上述半导体层与上述栅电极之间提供将上述第一极性的电荷注入到上述第二绝缘膜中的第一电位差，之后，向上述半导体层与上述栅电极之间提供将与上述第一极性相反极性的第二极性的电荷注入到上述第二绝缘膜中的第二电位差，之后，向上述半导体层与上述栅电极之间提供将上述第一极性的电荷注入到上述浮动电极中的第三电位差。
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