[发明专利]衬底处理方法和衬底处理设备

摘要

本发明涉及衬底处理方法和衬底处理设备。根据本发明的实施例的晶片处理设备100构造为使得在预定时段期间的下述重复循环的数量，即，供给纯水用于维持磷酸10的高蚀刻速率以完全蚀刻目标薄膜以及停止对每批晶片的供给的循环，并且当循环的数量落在循环计数的预设范围之外时，为此结果提供通知。由此，能以良好的精度发现具有缺陷蚀刻的一批晶片，并且能防止缺陷蚀刻在后续批次的晶片中出现。

主权项

1. 一种衬底处理方法，包括如下步骤：将衬底浸入存储在蚀刻槽中的化学溶液中；加热所述化学溶液；重复如下循环，即，当所述化学溶液的温度达到值t1时，在对所述化学溶液进行加热的同时开始供给纯水至所述蚀刻槽中，而当所述化学溶液的温度下降至值t2(t1>t2)时，停止所述纯水的供给；以及计数在预定时段期间的所述循环的数量，其中，当所述循环的数量落在循环计数的预设范围之外时，提供所述循环的数量落在所述数量的所述预设范围之外的通知，并停止开始对于后续批次中的衬底的处理。