[发明专利]一种基于柔性金属基板制备CdS纳米线阵列的方法有效

专利信息
申请号: 200910116313.2 申请日: 2009-03-09
公开(公告)号: CN101532178A 公开(公告)日: 2009-09-16
发明(设计)人: 蒋阳;蓝新正;李山鹰;刘新梅;王春 申请(专利权)人: 合肥工业大学
主分类号: C30B29/50 分类号: C30B29/50;C30B7/10;C30B29/62
代理公司: 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 代理人: 汪祥虬
地址: 230009*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种基于柔性金属基板制备CdS纳米线阵列的方法,先利用电镀镉工艺以阴极电流密度0.5~1A/dm2对柔性金属基板表面电镀处理不少于2小时;将电镀处理后的1~4cm2大小试样在8~12MPa压延处理;然后将0.182~0.729克氨基硫脲与压延处理后的试样一起置于50ml高压反应釜中,加入乙二胺至反应釜容积的80~90%,密闭高压反应釜,加热至180~200℃保温10~18小时,即在柔性金属基板上得到CdS纳米线阵列。本方法可确保不会引入金属和金属硫化物杂质,纳米线阵列与金属基板结合良好,且能在任何柔性金属基板上制备CdS纳米线阵列。本发明产物在新型太阳能光伏产业具有巨大的应用价值。
搜索关键词: 一种 基于 柔性 金属 制备 cds 纳米 阵列 方法
【主权项】:
1、一种基于柔性金属基板制备CdS纳米线阵列的方法,包括先利用电镀镉工艺,在阴极电流密度为0.5~1A/dm2的条件下,对柔性金属基板的表面进行电镀处理不少于2小时;其特征在于:将进行电镀处理后的上述柔性金属基板试样以8~12MPa进行压延处理;然后对应于压延处理后1~4cm2大小的试样将0.182~0.729克的氨基硫脲一起置于容积为50ml的高压反应釜中,加入乙二胺至反应釜容积的80~90%,密闭高压反应釜,加热至180~200℃保温10~18小时,即在柔性金属基板上得到CdS纳米线阵列。
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