[发明专利]一种超高介电常数半导体电容器材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200910114056.9 | 申请日： | 2009-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN101549998A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | 王宁章;马玉田;沙沙 | 申请（专利权）人： | 广西大学 |
| 主分类号： | C04B35/47 | 分类号： | C04B35/47;C04B35/622;H01G4/12 |
| 代理公司： | 广西南宁公平专利事务所有限责任公司 | 代理人： | 黄永校 |
| 地址： | 530004广西壮族*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 一种超高介电常数半导体电容器材料，所述材料的组分及含量为：SrO-TiO2-Nb2O5按mol比为1∶1∶0.5％；SrO-TiO2-La2O3按mol比为1∶1∶0.7％；SrO-TiO2-Nb2O5-La2O3按mol比为1∶1∶0.7％∶0.4％；在上述各组合物中分别按mol比掺入0.3～0.9％CeO2。将所述材料的组分按所述配比进行电子陶瓷常规工艺程序制备得样品，所述样品排塑后放在真空石墨碳管炉中于1300℃～1450℃下烧结，保温1.5～2.5小时后随炉冷却，即得所述超高介电常数半导体电容器材料。该半导体电容器材料具有1×1011超高介电常数，制备方法简单，安全性能可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超高 介电常数 半导体 电容器 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种超高介电常数半导体电容器材料，其特征在于，所述材料的组分及含量为：SrO-TiO2-Nb2O5 按mol比为1∶1∶0.5％SrO-TiO2-La2O3 按mol比为1∶1∶0.7％SrO-TiO2-Nb2O5-La2O3按mol比为1∶1∶0.7％∶0.4％在上述各组合物中分别按mol比掺入0.3～0.9％CeO2。
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