[发明专利]薄膜晶体管数组基板的制作方法有效
申请号: | 200910112485.2 | 申请日: | 2009-09-10 |
公开(公告)号: | CN101692439A | 公开(公告)日: | 2010-04-07 |
发明(设计)人: | 廖展章;邱羡坤;言维邦;徐朝焕;黄坤源 | 申请(专利权)人: | 福建华映显示科技有限公司;中华映管股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L21/336;G03F1/00;G03F7/00 |
代理公司: | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人: | 王美花 |
地址: | 350015 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明属于液晶显示器制造领域,具体揭露一种薄膜晶体管数组基板的制作方法,先以一第一道光罩制程于一基板上定义一源极、一汲极以及一通道,接着形成一介电层覆该基板,并以一第二道光罩制程定义一图案化光阻以及介电层上,然后再形成一透明导电层覆盖该图案化光阻与该基板,并进行一掀举制程移除该图案化光阻与覆盖于该图案化光阻上的部分透明导电层,最后利用一第三道光罩制程于该介电层上形成一闸极。本发明的优点在于,仅利用三道光罩制程制作,有效地大幅节省光罩成本,并适用于各种尺寸面板的制作。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 数组 制作方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管数组基板的制作方法,其特征在于,包含如下步骤:提供一基板,并在该基板上依序设置一半导体层以及一第一金属层;图案化所述第一金属层以及所述半导体层,形成一源极、一汲极以及设于该源极与该汲极之间的一通道;形成一介电层覆盖在所述基板、所述源极、所述汲极以及所述通道上;形成一第二图案化光阻于所述介电层上;移除未被所述第二图案化光阻覆盖的所述介电层,以曝露出所述汲极的部分表面;形成一透明导电层覆盖在所述第二图案化光阻、所述汲极曝露的部分表面以及所述基板上;移除所述第二图案化光阻,以使覆盖于所述第二图案化光阻上方的部分透明导电层被一并移除;以及形成一闸极于所述介电层上,该闸极设于所述源极以及该汲极之间且对应于所述通道。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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