[发明专利]一种紫外低吸收YAl3(BO3)4晶体的生长方法有效
| 申请号： | 200910111251.6 | 申请日： | 2009-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN101831706A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 叶宁;陈啸 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B9/12;G02F1/355 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及YAl3(BO3)4非线性光学晶体的生长方法。该方法使用了新的助熔剂Li2CO3-Al2O3-B2O3体系和Li2CO3-Al2O3-B2O3-LiF体系，可以较大幅度地降低晶体的生长温度，避免了助熔剂引入的过渡金属杂质引起的晶体紫外透过率下降，可以稳定地生长出尺寸为厘米级、质量较好的YAl3(BO3)4晶体；此外，该工艺生长晶体的速度较快，成本低廉，对设备要求低，操作简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 吸收 yal sub bo 晶体 生长 方法 | ||
【主权项】：
采用熔盐法生长紫外低吸收YAl3(BO3)4晶体的方法，其特征在于：采用Li2CO3-Al2O3-B2O3体系或Li2CO3-Al2O3-B2O3-LiF体系作为助熔剂体系。
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