[发明专利]一种紫外低吸收YAl3(BO3)4晶体的生长方法有效

专利信息
申请号: 200910111251.6 申请日: 2009-03-13
公开(公告)号: CN101831706A 公开(公告)日: 2010-09-15
发明(设计)人: 叶宁;陈啸 申请(专利权)人: 中国科学院福建物质结构研究所
主分类号: C30B29/22 分类号: C30B29/22;C30B9/12;G02F1/355
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 350002 *** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 紫外 吸收 yal sub bo 晶体 生长 方法
【权利要求书】:

1.采用熔盐法生长紫外低吸收YAl3(BO3)4晶体的方法,其特征在于:采用Li2CO3-Al2O3-B2O3体系或Li2CO3-Al2O3-B2O3-LiF体系作为助熔剂体系。

2.如权利要求1所述的生长YAl3(BO3)4晶体的方法,其特征在于:采用含Y,Al,和Li的相应氧化物或碳酸盐或硝酸盐或草酸盐或硼酸盐或氢氧化物或其铵盐和H3BO3或B2O3为原料,按照YAB-Li2CO3-Al2O3-B2O3的含量克分子比为:1∶1~5.5∶1~8∶3~15,采用熔盐法在熔体表面或熔体中生长晶体;晶体生长参数为1080-900℃,降温速率0.5~5℃/天,同时以5-30转/分的速率旋转晶体,待晶体生长到所需尺度后,提起籽晶使其脱离液面,并以不大于100℃/h的速率降至室温,便可获得大尺寸的YAB晶体。

3.如权利要求1所述的生长YAl3(BO3)4晶体的方法,其特征在于:采用含Y,Al,和Li的相应氧化物或碳酸盐或硝酸盐或草酸盐或硼酸盐或氢氧化物或其铵盐和H3BO3或B2O3和LiF为原料,按照YAB-Li2CO3-Al2O3-B2O3-LiF的含量克分子比为:1∶1~5.5∶1~8∶3~15∶1~4,采用熔盐法在熔体表面或熔体中生长晶体;晶体生长参数为1080-900℃,降温速率0.5~5℃/天,同时以5-30转/分的速率旋转晶体,待晶体生长到所需尺度后,提起籽晶使其脱离液面,并以不大于100℃/h的速率降至室温,便可获得大尺寸的YAB晶体。

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