[发明专利]一种半导体发光器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910106254.0 | 申请日： | 2009-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN101853904A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 胡红坡;张旺;苏喜林;谢春林 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体发光器件及其制造方法，该半导体发光器件包括第一电极、第二电极、外延层和衬底，所述衬底具有相对的第一表面和第二表面，衬底第一表面形成有外延层，外延层上形成有第一电极；衬底包括基板和分布于基板中的导通电极，外延层连接于衬底第一表面中的导通电极上，第二电极连接于衬底第二表面中的导通电极上。本发明还公开了一种半导体发光器件的制造方法，包括在基板上形成沟槽并在沟槽内沉积导通电极，使得该导通电极材料填平沟槽，形成衬底的第一表面；在衬底的第一表面上生长外延层并在相应处制作第一、第二电极。由于第二电极和外延层通过导通电极连接，电流垂直流过外延层，解决了现有技术中电流密度不均匀的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，包括第一电极、第二电极、外延层和衬底，所述衬底具有相对的第一表面和第二表面，衬底第一表面形成有外延层，外延层的上表面形成有第一电极，其特征在于，所述衬底包括基板和分布于基板中的导通电极，所述外延层电连接于衬底第一表面中的导通电极上，所述第二电极电连接于衬底第二表面中的导通电极上。
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